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  • 解读龙虎榜
    03-28 11:09 发布
环球市场
美国总统特使威特科夫表示,预计本周将与伊朗方面举行会谈。威特科夫还称,预计将很快收到伊朗方面对美方提出的15点停火方案的回应。
美国国务卿鲁比奥27日说,预计对伊朗的军事行动将在适当时间结束,“我们说的是几周,而不是几个月”。他还表示,实现对伊朗行动目标无需出动地面部队。
以色列国防军27日晚证实,以军空袭了伊朗洪达卜重水反应堆和位于亚兹德省的铀提炼工厂,称将继续削弱伊朗“核武器计划”。
在美国和以色列对伊朗钢铁厂发动袭击后,伊朗方面已将以色列境内6家钢铁厂及地区5个国家的相关工业设施列为新的报复打击目标。
由于交易员预计中东冲突将持续并进一步扰乱能源市场,国际油价再次大幅走高,WTI5月原油期货结算价收于每桶99.64美元,涨幅为5.46%;布伦特5月原油期货结算价收于每桶112.57美元,涨幅为4.22%。
在近期价格下跌后逢低买盘加速的推动下,国际贵金属反弹,现货黄金收盘涨2.59%,报4494.1美元/盎司;现货白银涨2.47%,报69.78美元/盎司。
伦敦金属交易所(LME)多数工业金属周五收高,尽管中东战争持续搅动市场,但在需求回升迹象的带动下,铜价录得本月首个周度上涨。截至收盘,LME期铜上涨0.4%,报12195美元/吨;LME期铝上涨0.8%,报3296美元/吨;LME期锡上涨3.8%,报45788美元/吨。
美元兑日元一度上涨0.4%,达到160.41,为2024年以来最高,导致日本当局干预风险上升。
美股三大指数集体收跌,纳指跌2.15%,本周累跌3.23%;标普500指数跌1.67%,本周累跌2.12%,录得连续第五周下跌,为2022年以来最长连跌;道指跌1.72%,本周累跌0.9%。科技股普跌,Meta、亚马逊跌约4%。
热门中概股多数下跌,纳斯达克中国金龙指数跌1.9%,蔚来跌超4%,小鹏汽车、霸王茶姬、携程网、爱奇艺跌超3%,阿里巴巴跌超2%。
欧洲斯托克600指数收盘下跌1%,收窄了本周微弱涨幅。该基准指数本月跌幅预计将达9.2%,这将是自2020年新冠疫情冲击全球经济以来最大的月度跌幅。
  • 解读龙虎榜
    03-28 11:09 发布
设备工艺迎“升级潮”
除了需求量攀升,半导体设备工艺也有望随着存储技术的演进而水涨船高。
据报道,随着HBM封装堆叠高度不断增加,业界开始关注放宽半导体封装规格的可能性。日前,联合电子器件工程委员会(JEDEC)正考虑将HBM封装的高度标准从目前的约775微米提高到900微米。
在近日举行的全球半导体盛会SEMICON China 2026期间,韩美半导体宣布推出新一代HBM生产设备“宽尺寸TC键合机”。据介绍,这款设备能够随着HBM芯片面积的扩大,稳定增加TSV(硅通孔)和I/O(输入/输出接口)的数量。通过增加连接DRAM芯片和中介层的微凸点数量,能够确保内存容量和带宽,并提高能效。
与此同时,北方华创、中微公司等分别发布新一代刻蚀设备,并不约而同提到存储技术发展对行业产生的影响:
北方华创表示,全球算力与存储芯片需求的爆发,带动半导体设备市场持续增长。其设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求,可满足更先进节点的芯片制造要求。
中微公司表示,随着先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求日益严苛,刻蚀设备面临着对刻蚀精度、均匀性、深宽比等多重挑战。
中信证券表示,考虑到本轮存储上行周期以及下游积极的逻辑需求,预计2026年全球半导体晶圆制造设备(WFE)市场规模将维持高个位数百分比同比增长,且存储占比有望进一步提升。
东吴证券认为,存储端高层数3D堆叠对高深宽比刻蚀(HAR)、高选择比刻蚀(ALE)以及ALD等原子级沉积技术提出更高要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三,且随制程演进呈提升趋势。
该机构进一步强调,多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入,使设备数量与工艺复杂度同步提升,设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应,核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。
  • 解读龙虎榜
    03-28 11:08 发布
在AI时代,赚得盆满钵满的存储巨头们,正将行业景气度不断传递至其上游——半导体设备环节。
近日,SK海力士签署了一份高达815.6亿韩元的半导体设备供应合同,合作对象为韩国唯一刻蚀设备供应商VM公司。经测算,此次合同的价值相当于该公司2024全年合并营收的116%。
据媒体援引知情人士消息,VM公司今年来自SK海力士等存储厂商的相关订单累计已达2246亿韩元。按照市场分析师此前预测,VM公司今年收入将在2200亿至2300亿韩元之间。公司高管认为,2026年公司营收将创历史新高。他表示:“产能扩张正在进行,因此今年可能会有更多订单。”
VM公司订单快速起量并非个例,在最近一次摩根士丹利媒体会议上,美国半导体设备制造龙头Lam Research首席财务官Doug Bettinger表示:“自从3D NAND技术推出后,Lam Research的营收翻了一番。预计DRAM也将带来类似的营收增长机会。”
资料显示,Lam Research在3D NAND等先进存储技术领域具有一定优势,这类技术能通过垂直堆叠提高单位面积的存储密度。Doug Bettinger指出,如今半导体架构正朝着3D方向发展,除了NAND,DRAM也将从6F²过渡到4F²,并最终发展成为3D DRAM。
有券商分析称,在AI算力需求爆发背景下,HBM带动DRAM高阶制程升级,3D NAND向400层以上堆叠演进,使得单万片产能投资额同步提升。
东方证券指出,随着堆叠层数的增加,刻蚀设备用量占比也将不断攀升。与2D NAND时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同,3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比;此外,DRAM未来也有望向3D堆叠方向发展,有望进一步推动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量。
Lam Research预测,今年前道设备市场将增长23%。为满足客户需求,该公司正在扩大包括马来西亚工厂在内的多家工厂的产能。
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